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D01MH工艺技术自2010年规模商用,是一款125nm的mHEMT工艺;OMMIC采用该工艺制备频率最高达90GHz的超低噪声放大器产品。

D01MH工艺技术已通过欧洲宇航局航天级认证,并被列入欧洲宇航局首选器件清单(EPPL)。

 

D01MH工艺射频/直流特性

l击穿电压:Vbgd=8V(典型值);

l开启电压:Vt=-0.9V;

截止频率:Ft=150GHz;

l最高频率:Fmax=250GHz;

l噪声系数:NFmin=0.8dB@30GHz;

l增益:11.5dB@30GHz;

l全局钝化处理

——外延电阻;

——镍铬电阻;

——MIM电容(400pf/mm249pf/mm2);

——螺旋电感;

——空气桥;

——通孔;

——微凸台;

——全局钝化芯片:覆盖150nm氮化硅;

——芯片标准厚度100μm(如果有特殊要求,70μm厚度可选);

——厚金属层可选,用于优化芯片噪声性能。


Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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